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2SC3588-Z

更新时间： 2024-02-01 02:44:39

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关
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1页	41K
描述
NPN Silicon Triple Diffused Transistor

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2SC3588-Z 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	3500 ns
最大开启时间（吨）：	1000 ns	Base Number Matches：	1

2SC3588-Z 数据手册

SMD Type

Transistors

NPN Silicon Triple Diffused Transistor

2SC3588-Z

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Features

High voltage VCEO=400V

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current *1

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CES

V^EBO

I^CP

Rating

Unit

500

400

I^C

0.5

P^T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T^C= 25 *2

T^j

150

Tstg

-55 to +150

*1 pw 10ms,Duty cycle 50%

*2 when mounted on ceramic substrate of 7.5cm²X0.7mm

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector Cutoff Current

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

ìA

VCB=400V,IE=0

Emitter Cutoff Current

I^EBO

VEB=5.0V,IC=0

ìA

V^CE=5V,IC=50mA

V^CE=5V,IC=300mA

IC=300mA,IB=60mA

DC Current Gain *

h^FE

Collector Saturation Voltage *

Base Saturation Voltage *

Turn-on Time

VCE(sat)

VBE(sat)

t^on

0.2

0.5

1.0

2.5

1.0

0.85

0.12

2.0

IC=0.3A,RL=500Ù,VCC=150V,

PW=50ìs,IB1=-IB2=0.06A

Duty Cycle 2%

ìs

Storage Time

t^stg

Fall Time

t^r

0.35

* Pulsed: PW 350ìA,Duty Cycle 2%

hFE Classification

Marking

hFE

20 to 40

30 to 60

40 to 80

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3588-Z-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC3588-ZK	NEC	获取价格	BJT
2SC3588-Z-K	NEC	获取价格	暂无描述
2SC3588-Z-K-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC3588-ZK-E1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-252VAR
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