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2SC3595D

更新时间: 2024-01-04 06:44:15
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3页 188K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-126

2SC3595D 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):2000 MHz
Base Number Matches:1

2SC3595D 数据手册

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