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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.58 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 7 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 400 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3601D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3601E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3601F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-126 |
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| 2SC3602 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 20MA I(C) | MICRO-X |
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| 2SC3603 | NEC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION |
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| 2SC3604 | NEC |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION |
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| 2SC3604 | NJSEMI |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION |
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| 2SC3605 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC3606 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SC3606 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial Planar Type |
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