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2SC3591

更新时间： 2024-01-05 22:52:18

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
4页	153K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC3591 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8

2SC3591 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC3591

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Fast switching speed

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·High-definition CRT display horizontal

deflection output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

UNIT

Open emitter

Open base

400

200

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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