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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 3500 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 1000 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3588L | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SC3588M | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SC3588-Z | KEXIN |
获取价格 |
NPN Silicon Triple Diffused Transistor |
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| 2SC3588-Z | TYSEMI |
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High voltage VCEO=400V Collector to base voltage VCBO 500 V |
|
| 2SC3588-Z | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3 |
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| 2SC3588-Z-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SC3588-ZK | NEC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SC3588-Z-K | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SC3588-Z-K-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SC3588-ZK-E1 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-252VAR |
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