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2SC3587

更新时间： 2024-01-08 00:22:23
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管微波
页数 文件大小 规格书
8页 93K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION

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2SC3587 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.035 A基于收集器的最大容量：0.7 pF
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最高频带：C BANDJESD-30 代码：O-CRDB-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：RADIAL
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：10000 MHz
Base Number Matches：1

2SC3587 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC3587  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION  
The 2SC3587 is an NPN epitaxial transistor designed for low-  
PACKAGE DIMENSIONS (in mm)  
noise amplification at 0.5 to 6.0 GHz. This transistor has low-noise  
and high-gain characteristics in a wide collector current region, and  
has a wide dynamic range.  
E
FEATURES  
3.8 MIN.  
3.8 MIN.  
• Low noise  
: NF = 1.7 dB TYP. @ f = 2 GHz  
NF = 2.6 dB TYP. @ f = 4 GHz  
C
B
• High power gain : GA = 12.5 dB TYP. @ f = 2 GHz  
GA = 8.0 dB TYP. @ f = 4 GHz  
45 °  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
PIN CONNECTIONS  
E: Emitter  
C: Collector  
B: Base  
E
PARAMETER  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
SYMBOL  
VCBO  
RATING  
UNIT  
V
0.5 ± 0.05  
2.55 ± 0.2  
φ 2.1  
20  
10  
VCEO  
V
VEBO  
1.5  
V
IC  
35  
mA  
mW  
°C  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT (TC = 25 °C)  
Tj  
580  
200  
Tstg  
-
65 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
PARAMETER  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
1.0  
UNIT  
µA  
VCB = 10 V  
VEB = 1 V  
IEBO  
1.0  
µA  
hFE  
VCE = 6 V, IC = 10 mA Pulse  
VCE = 6 V, IC = 10 mA  
VCB = 10 V, f = 1 MHz  
VCE = 6 V, IC = 5 mA  
50  
100  
10.0  
0.2  
250  
Gain Bandwidth Product  
Reverse Transfer Capacitance  
Noise Figure  
fT  
GHz  
pF  
Cre  
0.7  
2.4  
NFNote  
f = 2 GHz  
f = 4 GHz  
f = 2 GHz  
f = 4 GHz  
1.7  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
2.6  
Insertion Gain  
|S21e|2  
VCE = 6 V, IC = 10 mA  
10.5  
12.5  
7.5  
Maximum Available Gain  
Power Gain  
MAG  
VCE = 6 V, IC = 10 mA, f = 4 GHz  
VCE = 6 V, IC = 5 mA f = 2 GHz  
f = 4 GHz  
10  
GA  
12.5  
8.0  
Document No. P11673EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published August 1996 P  
Printed in Japan  
1996  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3588 NEC

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