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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> BFR181
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BFR181

更新时间： 2024-11-09 22:27:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 61K
描述
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12mA)

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BFR181 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.23其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.02 A基于收集器的最大容量：0.45 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.175 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：8000 MHzBase Number Matches：1

BFR181 数据手册

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BFR 181  
NPN Silicon RF Transistor  
• For low noise, high-gain broadband amplifiers at  
collector currents from 0.5 mA to 12mA  
• f = 8GHz  
T
F = 1.45dB at 900MHz  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!  
Type  
Marking Ordering Code  
Pin Configuration  
Package  
BFR 181  
RFs  
Q62702-F1314  
1 = B  
2 = E  
3 = C  
SOT-23  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Collector-emitter voltage  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
V
12  
20  
20  
2
V
CEO  
CES  
CBO  
EBO  
I
I
20  
2
mA  
mW  
°C  
C
Base current  
B
Total power dissipation  
P
tot  
≤
T
91 °C  
175  
S
Junction temperature  
Ambient temperature  
Storage temperature  
T
T
T
150  
j
- 65 ... + 150  
- 65 ... + 150  
A
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction - soldering point  
R
≤ 335  
K/W  
thJS  
1) T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb.  
S
Semiconductor Group  
1
Dec-11-1996  
1234567

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BFR181 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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