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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.2 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3325_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency Low Power Amplifier Applications |
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| 2SC3325O | TOSHIBA |
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Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switc |
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| 2SC3325-O | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SC3325-O(TE85L) | TOSHIBA |
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2SC3325-O(TE85L) |
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| 2SC3325-O(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,500MA I(C),SC-59 |
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| 2SC3325OTE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SC3325OTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SC3325TE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SC3325TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma |
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| 2SC3325Y | TOSHIBA |
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Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Switc |
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