5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SC2873Y-G
2SC2873Y-G PDF预览

2SC2873Y-G

更新时间： 2024-11-28 00:29:43
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 175K
描述
General Purpose Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SC2873Y-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.65最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SC2873Y-G 数据手册

 浏览型号2SC2873Y-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC2873Y-G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC2873Y-G的Datasheet PDF文件第4页 
General Purpose Transistor  
2SC2873-G Series (NPN)  
RoHS Device  
Features  
- Small flat package  
- High speed switching time.  
- Low collector-emitter saturation voltage.  
SOT-89-3L  
Circuit Diagram  
0.181(4.60)  
0.173(4.40)  
Collector  
2
1 : BASE  
0.061(1.55)  
REF.  
2 : COLLECTOR  
3 : EMITTER  
1
Base  
0.102(2.60)  
0.091(2.30)  
0.167(4.25)  
0.155(3.94)  
1
2
3
3
Emitter  
0.020(0.52)  
0.023(0.58)  
0.016(0.40)  
Maximum Ratings (at TA=25°C unless otherwise noted)  
0.013(0.32)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
0.060(1.50)  
TYP.  
Collector-Base voltage  
Collector-Emitter voltage  
Emitter-Base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
50  
50  
5
0.118(3.00)  
TYP.  
V
V
0.063(1.60)  
0.055(1.40)  
Collector current  
2
A
Collector power dissipation  
PD  
500  
mW  
0.017(0.44)  
0.014(0.35)  
Thermal resistance from  
junction to ambient  
0.047(1.20)  
0.035(0.90)  
RθJA  
250  
°C/W  
Junction temperature  
Storage temperature  
TJ  
150  
°C  
°C  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Tstg  
-55~+150  
Electrical Characteristics (at TA=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Typ  
Parameter  
Conditions  
Min  
Max  
Unit  
Collector-Base breakdown voltage  
Collector-Emitter breakdown voltage  
Emitter-Base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
IC =100μA , IE=0  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
50  
50  
5
V
V
IC =1mA , IB=0  
IE =100μA , IC=0  
VCB=50V , IE=0  
V
µA  
µA  
ICBO  
IEBO  
0.1  
0.1  
VEB=5V , IC=0  
Emitter cut-off current  
VCE=2V , IC=0.5mA  
VCE=2V , IC=2mA  
IC=1A , IB=50mA  
IC=1A , IB=50mA  
VCE=2V , IC=0.5A  
VCB=10V, IE=0 , F=1MHZ  
hFE(1)  
70  
20  
240  
DC current gain  
hFE(2)  
Collector-Emitter saturation voltage  
Base-Emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
0.5  
1.2  
V
V
fT  
120  
30  
MHZ  
PF  
Collector output capacitance  
Cob  
Classification Of hFE  
2SC2873O-G  
70-140  
Part No.  
2SC2873Y-G  
Range  
120-240  
MY  
Marking  
MO  
REV: A  
Page 1  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
QW-BTR43  
1234

中文翻译

下载PDF

与2SC2873Y-G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC2873YTA DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC2873YTA ZETEX

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC2873YTE12R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SC2873-Y-TP-HF MCC

获取价格

 		暂无描述
2SC2876 TOSHIBA

获取价格

 		2SC2876
2SC2877 ISC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SC2877 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon NPN Power Transistors
2SC2877O ISC

获取价格

 		Transistor
2SC2878 TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR (FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS)
2SC2878 FOSHAN

获取价格

 		TO-92

与2SC2873Y-G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证