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| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3068 | SANYO |
功能相似  |
High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2878_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type For Muting and Switching Applications |
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| 2SC2878A | TOSHIBA |
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For Muting and Switching Applications |
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| 2SC2878-A | TOSHIBA |
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For Muting and Switching Applications |
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| 2SC2878B | TOSHIBA |
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For Muting and Switching Applications |
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| 2SC2878-B | TOSHIBA |
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For Muting and Switching Applications |
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| 2SC2879 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)(LOW SUPPLY VOLTAGE USE) |
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| 2SC2879 | ASI |
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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| 2SC2879A | TOSHIBA |
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SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUP |
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| 2SC287A(B) | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC287A(B)E | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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