2SC2879

更新时间： 2024-11-25 07:30:39

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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2SC2879 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	25 A
集电极-发射极最大电压：	18 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2879 数据手册

2SC2879

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI 2SC2879 is a 12.5 V

transistor designed primarily for SSB

linear power amplifier applications up

tp 28 MHz.

PACKAGE STYLE .500 4L FLG

.112x45°

FEATURES:

Ø.125 NOM.

FULL R

• P_G= 13 Typ. min. at 100 W/28 MHz

• IMD₃= -24 dBc max. at 100 W(PEP)

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

I_C

25 A

45 V

.220 / 5.59

.230 / 5.84

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

.125 / 3.18

.245 / 6.22

.255 / 6.48

18 V

.720 / 18.28

.7.30 / 18.54

.970 / 24.64

.495 / 12.57

.003 / 0.08

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.110 / 2.79

.175 / 4.45

.280 / 7.11

1.050 / 26.67

4.0 V

250 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +175 °C

0.6 °C/W

.980 / 24.89

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CES

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 100 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 5.0 V

4.0

BV_CEO

BV_EBO

h_FE

I_C= 10 A

150

---

C_OB

G_P

V_CB= 12.5 V

f = 1.0 MHz

f = 28 MHz

700

13.0

15.2

V_CE= 12.5 V

I_idle= 100 mA

dBc

η_C

IMD₃

P_OUT= 100 W

-24

---

V_CC= 12.5 V

P_OUT= 100 W

f = 28 MHz

---

1.45 – j0.95

1.45 – J1.0

Z_IN

Ω

---

Z_OUT

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

1/1

Specifications are subject to change without notice.

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2SC2879 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MS1051	MICROSEMI	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APLICATIONS
SD1487	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
HF100-12	ASI	功能相似	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

与2SC2879相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC2879A	TOSHIBA	获取价格	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUP
2SC287A(B)	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
2SC287A(B)E	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
2SC2880	KEXIN	获取价格	High Voltage Switching Applications
2SC2880	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)
2SC2880	TYSEMI	获取价格	High Voltage : VCEO = 150V High Transition Frequency : fT = 120MHz(typ.)
2SC2880_15	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SC2880-HF_15	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
2SC2880O	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SOT-89
2SC2880-O	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 50 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-5K1A, PW-MINI, SC-

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