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2SC287A(B)E

更新时间: 2024-11-27 14:49:39
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3

2SC287A(B)E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.02 A基于收集器的最大容量:1 pF
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:O-PRDB-F3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:RADIAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):1100 MHzVCEsat-Max:0.6 V
Base Number Matches:1

2SC287A(B)E 数据手册

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