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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | 2-13B1A, 4 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.6 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 18 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRFM-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SD1487 | ASI |
功能相似  |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| MS1051 | MICROSEMI |
功能相似 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APLICATIONS |
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| HF100-12 | ASI |
功能相似 |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2879A | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUP |
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| 2SC287A(B) | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC287A(B)E | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC2880 | KEXIN |
获取价格 |
High Voltage Switching Applications |
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| 2SC2880 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SC2880 | TYSEMI |
获取价格 |
High Voltage : VCEO = 150V High Transition Frequency : fT = 120MHz(typ.) |
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| 2SC2880_15 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
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| 2SC2880-HF_15 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
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| 2SC2880O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-89 |
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| 2SC2880-O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-5K1A, PW-MINI, SC- |
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