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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC1966 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifier on UHF band mobile radio applications) |
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| 2SC1967 | MITSUBISHI | RF POWER TRANSISTOR(NPN EPITAXAIL PLANAR TYPE) |
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| 2SC1968 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| 2SC1968A | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on UHF band Mobile radio applications) |
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| 2SC1969 | ISC | isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC1969 | MITSUBISHI | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications) |
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