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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC1966 | MITSUBISHI |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifier on UHF band mobile radio applications) |
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| 2SC1967 | MITSUBISHI |
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RF POWER TRANSISTOR(NPN EPITAXAIL PLANAR TYPE) |
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| 2SC1968 | MITSUBISHI |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| 2SC1968A | MITSUBISHI |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on UHF band Mobile radio applications) |
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| 2SC1969 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2SC1969 | MITSUBISHI |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications) |
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| 2SC1969A | MITSUBISHI |
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Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SC1969B | ISC |
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Transistor |
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| 2SC1969C | ISC |
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Transistor |
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| 2SC1969D | ISC |
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Transistor |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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