5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SB930Q
2SB930Q PDF预览

2SB930Q

更新时间： 2024-11-16 23:20:11
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 56K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-262VAR

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SB930Q 数据手册

 浏览型号2SB930Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB930Q的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SB0930, 2SB0930A (2SB930, 2SB930A)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For power amplification  
Unit: mm  
3.4±0.3  
8.5±0.2  
6.0±0.5  
1.0±0.1  
Complementary to 2SD1253 and 2SD1253A  
Features  
■
1.5max.  
1.1max.  
0.5max.  
●
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity  
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
0.8±0.1  
●
N type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
2.54±0.3  
5.08±0.5  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
■
C
1
2
3
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
N Type Package  
Collector to  
2SB0930  
2SB0930A  
2SB0930  
–60  
VCBO  
V
Unit: mm  
3.4±0.3  
base voltage  
Collector to  
–80  
8.5±0.2  
6.0±0.3  
1.0±0.1  
–60  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB0930A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–80  
VEBO  
ICP  
–5  
V
A
A
–8  
IC  
–4  
40  
R0.5  
R0.5  
0.8±0.1  
Collector power TC=25°C  
0 to 0.4  
2.54±0.3  
PC  
W
1.1 max.  
5.08±0.5  
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Tstg  
–55 to +150  
N Type Package (DS)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICES  
Conditions  
min  
typ  
max  
–400  
–400  
–700  
–700  
–1  
Unit  
2SB0930  
2SB0930A  
2SB0930  
2SB0930A  
VCE = –60V, VBE = 0  
µA  
current  
VCE = –80V, VBE = 0  
VCE = –30V, IB = 0  
VCE = –60V, IB = 0  
VEB = –5V, IC = 0  
Collector cutoff  
current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
µA  
mA  
V
Emitter cutoff current  
Collector to emitter 2SB0930  
voltage 2SB0930A  
–60  
–80  
70  
IC = –30mA, IB = 0  
*
hFE1  
VCE = –4V, IC = –1A  
250  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
hFE2  
VBE  
VCE = –4V, IC = –3A  
15  
VCE = –4V, IC = –3A  
–2  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –4A, IB = – 0.4A  
–1.5  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = –10V, IC = – 0.1A, f = 1MHz  
20  
0.2  
0.5  
0.2  
MHz  
µs  
IC = –4A, IB1 = – 0.4A, IB2 = 0.4A  
µs  
µs  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
70 to 150  
120 to 250  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
1
123

中文翻译

下载PDF

与2SB930Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB930-Q KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SB930R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-221VAR
2SB930TX PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB931 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching)
2SB931 KEXIN

获取价格

 		Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB931 TYSEMI

获取价格

 		Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector current IC.
2SB931_15 KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SB931H PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB931P ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SB931-P KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors

与2SB930Q相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证