Datasheet > 2SB930Q

2SB930Q

更新时间： 2024-02-08 07:34:46

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	56K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-262VAR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB930Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

2SB930Q 数据手册

Power Transistors

2SB0930, 2SB0930A (2SB930, 2SB930A)

Silicon PNP epitaxial planar type

For power amplification

Unit: mm

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

1.0±0.1

Complementary to 2SD1253 and 2SD1253A

Features

■

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

0.8±0.1

●

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.54±0.3

5.08±0.5

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

1:Base

2:Collector

3:Emitter

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

N Type Package

Collector to

2SB0930

2SB0930A

2SB0930

–60

V_CBO

Unit: mm

3.4±0.3

base voltage

Collector to

–80

8.5±0.2

6.0±0.3

1.0±0.1

–60

V_CEO

emitter voltage 2SB0930A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

V_EBO

I_CP

–5

–8

I_C

–4

R0.5

0.8±0.1

Collector power T_C=25°C

0 to 0.4

2.54±0.3

P_C

1.1 max.

5.08±0.5

dissipation

Ta=25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

T_stg

–55 to +150

N Type Package (DS)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CES

Conditions

min

typ

max

–400

–700

–1

Unit

2SB0930

2SB0930A

2SB0930

2SB0930A

V_CE= –60V, V_BE= 0

µA

current

V_CE= –80V, V_BE= 0

V_CE= –30V, I_B= 0

V_CE= –60V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

µA

Emitter cutoff current

Collector to emitter 2SB0930

voltage 2SB0930A

–60

–80

I_C= –30mA, I_B= 0

h_FE1

V_CE= –4V, I_C= –1A

250

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

V_CE= –4V, I_C= –3A

–2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –4A, I_B= – 0.4A

–1.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= –10V, I_C= – 0.1A, f = 1MHz

0.2

0.5

0.2

MHz

µs

I_C= –4A, I_B1= – 0.4A, I_B2= 0.4A

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

70 to 150

120 to 250

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SB930Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB930-Q	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB930R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-221VAR
2SB930TX	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB931	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching)
2SB931	KEXIN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB931	TYSEMI	获取价格	Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector current IC.
2SB931_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB931H	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB931P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-221VAR
2SB931-P	KEXIN	获取价格	PNP Transistors

与2SB930Q相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

4
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

4
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

5
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

10

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB930Q

2SB930Q 技术参数

2SB930Q 数据手册

与2SB930Q相关器件

与2SB930Q相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB930Q

2SB930Q 技术参数

2SB930Q 数据手册

与2SB930Q相关器件

与2SB930Q相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？