2SB933H

更新时间： 2024-11-20 13:04:15

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松下 - PANASONIC		晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	85K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

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2SB933H 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SB933H 数据手册

Power Transistors

2SB0933 (2SB933)

Silicon PNP epitaxial planar type

For Power switching

Unit : mm

8.5 0.2

6.0 0.2

3.4 0.3

Complementary to 2SD1256

1.0 0.1

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

• Large collector current I_C

• N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the

printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

0 to 0.4

R = 0.5

1.0 0.1

0.8 0.1

2.54 0.3

1.4 0.1

0.4 0.1

5.08 0.5

(8.5)

(6.0)

(6.5)

1.3

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−130

−80

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

2: Collector

3: Emitter

−7

N-G1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−5

Note) Self-supported type package is also prepared.

Peak collector current

−10

Collector power

dissipation

T_a= 25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 ∼ +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 mA, I_B= 0

−80

V_CB= −100 V, I_E= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−10

−50

µA



I_EBO

h_FE1

V_CE= −2 V, I_C= − 0.1 A

V_CE= −2 V, I_C= −2 A

h_FE2

260

−1.5

− 0.5

Base-emitter voltage

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_BE(sat)I_C= −4 A, I_B= − 0.2 A

V_CE(sat)I_C= −4 A, I_B= − 0.2 A

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

MHz

µs

I_C= −2 A,

0.13

0.5

Storage time

I_B1= − 0.2 A, I_B2= 0.2 A

V_CC= −50 V

µs

Fall time

0.13

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE2

90 to 180

130 to 260

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: April 2003

SJD00015BED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB933P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-262VAR
2SB933Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-262VAR
2SB933R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-221VAR
2SB933TX	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB934	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
2SB934	KEXIN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB934	TYSEMI	获取价格	Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector current IC.
2SB934_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB934H	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB934P	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2

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