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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB934TX
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2SB934TX

更新时间： 2024-11-18 13:04:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 60K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

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2SB934TX 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

2SB934TX 数据手册

 浏览型号2SB934TX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB934TX的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SB934  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
3.4±0.3  
8.5±0.2  
6.0±0.5  
For power switching  
1.0±0.1  
Complementary to 2SD1257  
Features  
■
1.5max.  
1.1max.  
0.5max.  
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
●
0.8±0.1  
●
Large collector current IC  
2.54±0.3  
●
N type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
5.08±0.5  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
N Type Package  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
Unit: mm  
3.4±0.3  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
8.5±0.2  
6.0±0.3  
1.0±0.1  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–130  
–80  
V
–7  
V
–15  
A
IC  
–7  
40  
A
R0.5  
R0.5  
0.8±0.1  
Collector power TC=25°C  
0 to 0.4  
2.54±0.3  
1.1 max.  
PC  
W
5.08±0.5  
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Tstg  
–55 to +150  
N Type Package (DS)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–10  
–50  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = –100V, IE = 0  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
VEB = –5V, IC = 0  
IC = –10mA, IB = 0  
Collector to emitter voltage  
–80  
45  
V
CE = –2V, IC = – 0.1A  
Forward current transfer ratio  
*
hFE2  
VCE = –2V, IC = –3A  
90  
260  
– 0.5  
–1.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –5A, IB = – 0.25A  
V
V
IC = –5A, IB = – 0.25A  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 10MHz  
30  
0.5  
1.5  
0.1  
MHz  
µs  
IC = –3A, IB1 = – 0.3A, IB2 = 0.3A  
µs  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
90 to 180  
130 to 260  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB935 PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SB935 KEXIN

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 		Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB935 TYSEMI

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 		Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). High-speed switching.
2SB935A KEXIN

获取价格

 		Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB935A PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching)
2SB935A TYSEMI

获取价格

 		Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). High-speed switching.
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 		暂无描述
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