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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB935R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-221VAR |
|
| 2SB935TX | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB936 | KEXIN |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial Planar Type |
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| 2SB936 | TYSEMI |
获取价格 |
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). High-speed switching. |
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| 2SB936 | UTC |
获取价格 |
SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TYPE |
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| 2SB936 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching) |
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| 2SB936 2SB936A | UTC |
获取价格 |
PNP |
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| 2SB936_15 | UTC |
获取价格 |
SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
|
| 2SB936_15 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
|
| 2SB936A | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching) |
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