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2SB936AQ

更新时间： 2024-11-18 20:22:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	253K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, ROHS COMPLIANT, N-G1, 3 PIN

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2SB936AQ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ROHS COMPLIANT, N-G1, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SB936AQ 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Power Transistors

2SB0936 (2SB936), 2SB0936A (2SB936A)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-voltage switching

Unit: mm

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• High-speed switching

8.5 0.2

6.0 ^0.2

3.4 0.3

1.0 0.1

• N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the

printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

0 to 0.4

R = 0.5

1.0 ^0.1

0.8 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

2.54 0.3

1.4 0.1

0.4 0.1

Parameter

Symbol

Rating

−40

Unit

5.08 0.5

(8.5)

2SB0936

2SB0936A

2SB0936

2SB0936A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

(6.0)

(6.5)

1.3

−50

V_CEO

−20

Collector-emitter voltage

(Base open)

−40

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−5

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−10

Peak collector current

Collector power dissipation

−20

N-G1 Package

Note) Self-supported type package is also prepared.

T_a= 25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−20

−40

Typ

Max

Unit

2SB0936

2SB0936A

2SB0936

2SB0936A

V_CEO

I_C= −10 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

I_CBO

V_CB= −40 V, I_E= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−50

µA

Collector-base cutoff

current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_EBO

µA

h_FE1

V_CE= −2 V, I_C= − 0.1 A

V_CE= −2 V, I_C= −3 A



h_FE2

260

−1.5

− 0.6

Base-emitter voltage

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

(Common base, input open circuited)

Turn-on time

V_BE(sat)I_C= −10 A, I_B= − 0.33 A

V_CE(sat)I_C= −10 A, I_B= − 0.33 A

f_T

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

100

400

MHz

C_ob

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

t_on

t_stg

t_f

0.1

0.5

0.1

µs

I_C= −3 A,

Storage time

I_B1= − 0.1 A, I_B2= 0.1 A

V_CC= −20 V

Fall time

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

90 to 180

130 to 260

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

SJD00017BED

Publication date: April 2003

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB936A-Q	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB936AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-221VAR
2SB936ATX	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB936G-TN3-R	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SB936G-TN3-T	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SB936H	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB936L-TN3-R	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SB936L-TN3-T	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SB936P	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
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