2SB938

更新时间： 2024-01-03 15:11:01

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松下 - PANASONIC		开关
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描述
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching)

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2SB938 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	2 V	Base Number Matches：	1

2SB938 数据手册

Power Transistors

2SB938, 2SB938A

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

For power amplification and switching

Unit: mm

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

1.0±0.1

Complementary to 2SD1261 and 2SD1261A

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

●

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

High-speed switching

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

●

0.8±0.1

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.54±0.3

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

5.08±0.5

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

2SB938

2SB938A

2SB938

–60

N Type Package

V_CBO

base voltage

Collector to

–80

Unit: mm

8.5±0.2

6.0±0.3

3.4±0.3

–60

1.0±0.1

V_CEO

emitter voltage 2SB938A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

V_EBO

I_CP

–5

–8

I_C

–4

R0.5

0.8±0.1

Collector power T_C=25°C

0 to 0.4

2.54±0.3

P_C

1.1 max.

5.08±0.5

dissipation

Ta=25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

T_stg

–55 to +150

N Type Package (DS)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

Conditions

min

typ

max

–200

–500

–2

Unit

2SB938

V_CB= –60V, I_E= 0

I_CBO

µA

current

2SB938A

2SB938

V_CB= –80V, I_E= 0

V_CE= –30V, I_B= 0

V_CE= –40V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

h_FE1

µA

2SB938A

Emitter cutoff current

Collector to emitter 2SB938

voltage 2SB938A

–60

–80

I_C= –30mA, I_B= 0

V_CE= –3V, I_C= – 0.5A

V_CE= –3V, I_C= –3A

1000

2000

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

10000

–2.5

–2

V_BE

_C= –3A, I_B= –12mA

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –5A, I_B= –20mA

–4

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 1MHz

0.3

MHz

µs

I_C= –3A, I_B1= –12mA, I_B2= 12mA

µs

0.5

µs

^*h_FE2Rank classification

Internal Connection

Rank

h_FE2

2000 to 5000 4000 to 10000

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