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2SB938R

更新时间: 2024-09-29 22:40:59
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页数 文件大小 规格书
6页 295K
描述
Si PNP EPITAXIAL PLANAR

2SB938R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):4 A配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):1000最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1.3 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

2SB938R 数据手册

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