5秒后页面跳转
2SB938AP PDF预览

2SB938AP

更新时间: 2024-09-29 22:49:27
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 局域网
页数 文件大小 规格书
6页 295K
描述
Si PNP EPITAXIAL PLANAR

2SB938AP 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):4 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):4000
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):40 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):15 MHzBase Number Matches:1

2SB938AP 数据手册

 浏览型号2SB938AP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB938AP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB938AP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SB938AP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SB938AP的Datasheet PDF文件第6页 

与2SB938AP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB938AQ PANASONIC

获取价格

Si PNP EPITAXIAL PLANAR
2SB938AR PANASONIC

获取价格

Si PNP EPITAXIAL PLANAR
2SB938ATX PANASONIC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB938H PANASONIC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB938P PANASONIC

获取价格

Si PNP EPITAXIAL PLANAR
2SB938Q PANASONIC

获取价格

Si PNP EPITAXIAL PLANAR
2SB938R PANASONIC

获取价格

Si PNP EPITAXIAL PLANAR
2SB938TX PANASONIC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB939 PANASONIC

获取价格

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington
2SB939A PANASONIC

获取价格

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington