2SB936H

更新时间： 2024-11-18 13:04:15

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松下 - PANASONIC		晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	61K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

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2SB936H 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	0.6 V	Base Number Matches：	1

2SB936H 数据手册

Power Transistors

2SB936, 2SB936A

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

1.0±0.1

For low-voltage switching

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

High-speed switching

●

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

0.8±0.1

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.54±0.3

5.08±0.5

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Parameter

Symbol

Ratings

–40

Unit

N Type Package

Collector to

2SB936

2SB936A

2SB936

V_CBO

Unit: mm

3.4±0.3

base voltage

Collector to

–50

8.5±0.2

6.0±0.3

1.0±0.1

–20

V_CEO

emitter voltage 2SB936A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–40

V_EBO

I_CP

–5

–20

I_C

–10

R0.5

0.8±0.1

Collector power T_C=25°C

0 to 0.4

2.54±0.3

P_C

1.1 max.

dissipation

Ta=25°C

1.3

5.08±0.5

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

T_stg

–55 to +150

N Type Package (DS)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–50

Unit

µA

2SB936

V_CB= –40V, I_E= 0

current

2SB936A

V_CB= –50V, I_E= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Emitter cutoff current

I_EBO

V_CEO

h_FE1

Collector to emitter 2SB936

voltage 2SB936A

–20

–40

I_C= –10mA, I_B= 0

V_CE= –2V, I_C= – 0.1A

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= –3A

260

– 0.6

–1.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= –10A, I_B= – 0.33A

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on time

f_T

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 10MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

100

400

0.1

0.5

0.1

MHz

µs

C_ob

t_on

t_stg

t_f

Storage time

I_C= –3A, I_B1= – 0.1A, I_B2= 0.1A

µs

Fall time

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

90 to 180

130 to 260

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB936L-TN3-R	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SB936L-TN3-T	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SB936P	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB936-P	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB936Q	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB936-Q	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB936R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-221VAR
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2SB937	PANASONIC	获取价格	Si PNP EPITAXIAL PLANAR
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