5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SB936AP
2SB936AP PDF预览

2SB936AP

更新时间： 2024-11-20 23:20:11
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-262VAR

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SB936AP 数据手册

 浏览型号2SB936AP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB936AP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB936AP的Datasheet PDF文件第4页 
Power Transistors  
2SB0936, 2SB0936A (2SB936, 2SB936A)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
3.4±0.3  
8.5±0.2  
6.0±0.5  
1.0±0.1  
For low-voltage switching  
Features  
■
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
1.5max.  
1.1max.  
0.5max.  
●
High-speed switching  
●
N type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
0.8±0.1  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
2.54±0.3  
5.08±0.5  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Parameter  
Symbol  
Ratings  
–40  
Unit  
N Type Package  
Collector to  
2SB0936  
2SB0936A  
2SB0936  
VCBO  
V
Unit: mm  
3.4±0.3  
base voltage  
Collector to  
–50  
8.5±0.2  
6.0±0.3  
1.0±0.1  
–20  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB0936A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–40  
VEBO  
ICP  
–5  
V
A
A
–20  
IC  
–10  
R0.5  
R0.5  
0.8±0.1  
Collector power TC=25°C  
40  
0 to 0.4  
2.54±0.3  
PC  
W
1.1 max.  
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
5.08±0.5  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Tstg  
–55 to +150  
N Type Package (DS)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–50  
–50  
–50  
Unit  
µA  
µA  
V
2SB0936  
VCB = –40V, IE = 0  
current  
2SB0936A  
VCB = –50V, IE = 0  
VEB = –5V, IC = 0  
Emitter cutoff current  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
Collector to emitter 2SB0936  
voltage 2SB0936A  
–20  
–40  
45  
IC = –10mA, IB = 0  
VCE = –2V, IC = – 0.1A  
Forward current transfer ratio  
*
hFE2  
VCE = –2V, IC = –3A  
90  
260  
– 0.6  
–1.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –10A, IB = – 0.33A  
V
V
IC = –10A, IB = – 0.33A  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Turn-on time  
fT  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 10MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
100  
400  
0.1  
0.5  
0.1  
MHz  
pF  
µs  
Cob  
ton  
tstg  
tf  
Storage time  
IC = –3A, IB1 = – 0.1A, IB2 = 0.1A  
µs  
Fall time  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
90 to 180  
130 to 260  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与2SB936AP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB936A-P KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SB936AQ PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB936A-Q KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SB936AR ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-221VAR
2SB936ATX PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB936G-TN3-R UTC

获取价格

 		SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SB936G-TN3-T UTC

获取价格

 		SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SB936H PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB936L-TN3-R UTC

获取价格

 		SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR
2SB936L-TN3-T UTC

获取价格

 		SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR

与2SB936AP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证