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2SB936A

更新时间： 2024-01-22 23:14:36

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TYSEMI		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	62K
描述
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). High-speed switching.

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2SB936A 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	0.6 V	Base Number Matches：	1

2SB936A 数据手册

Product specification

2SB936A

TO-252

Unit: mm

2.30^+0.1

Features

6.50^+0.15

-0.15

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Low collector-emitter saturation voltage V^CE(sat).

High-speed switching.

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-50

Unit

-40

-5

Collector current

-10

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I^CP

-20

P^C

1.3

T^j

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

V^CEO

I^CBO

Testconditons

Min

-40

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base cutoff curent

Emitter-base cutoff current

I^C= -10mA, I^B= 0

VCB = -50 V,IE = 0

V^EB= -5 V, I^C= 0

-50

260

ìA

I^EBO

V^CE= -2 V, I^C= -3 A

V^CE= -2 V, I^C= -0.1 A

Forward current transfer ratio

h^FE

Base-emitter saturation voltage

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Turn-on time

V^BE(sat)I^C= -10 A, I^B= -0.33 A

V^CE(sat)I^C= -10 A, I^B= -0.33 A

-1.5

-0.6

f^T

C^ob

t^on

t^stg

t^f

V^CE= -10 V, I^C= -0.5 A , f = 10 MHz

V^CB= -10V , I^E= 0 , f = 1.0MHz

100

400

0.1

0.5

0.1

MHz

ìs

I^C= -3 A,I^B1= -0.1 A,I^B2= 0.1 A,

V^CC= -20 V

Storage time

ìs

Fall time

ìs

hFE Classification

Rank

h^FE

90 180

130 260

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB936A_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB936AH	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB936AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-262VAR
2SB936A-P	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB936AQ	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB936A-Q	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB936AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-221VAR
2SB936ATX	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB936G-TN3-R	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SB936G-TN3-T	UTC	获取价格	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TYPE

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