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2SB932

更新时间： 2024-01-12 07:33:42

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描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Type

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2SB932 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

2SB932 数据手册

SMD Type

Transistors

Silicon PNP Epitaxial Planar Type

2SB932

TO-252

Unit: mm

Features

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat).

Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.

Large collector current IC.

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

-130

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

-80

-7

-4

-8

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I^CP

P^C

1.3

T^j

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^CBO

I^EBO

Testconditons

Min

Typ

Max

-10

Unit

ìA

Collector-base cutoff curent

Emitter-base cutoff current

Collector-emitter voltage

VCB = -100 V,IE = 0

VEB = -5 V, IC = 0

-50

V^CEO

IC = -10mA, IB = 0

V^CE= -2 V, IC = -1 A

V^CE= -2 V, IC = -0.1 A

-80

260

Forward current transfer ratio

h^FE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V^CE(sat)IC = -3 A, IB = -0.15 A

V^BE(sat)IC = -3 A, IB = -0.15 A

-0.5

-1.5

f^T

t^on

t^stg

t^f

VCE = -10 V, IC = -0.5 A , f = 10 MHz

MHz

ìs

0.15

0.8

I^C= -1 A,IB1 = -0.1 A,IB2 = 0.1 A,

Storage time

ìs

Fall time

0.15

ìs

hFE Classification

Rank

h^FE

90 180

130 260

www.kexin.com.cn

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