2SB931

更新时间： 2024-11-16 22:27:15

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松下 - PANASONIC		晶体开关晶体管功率双极晶体管
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3页	60K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For power switching)

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2SB931 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SB931 数据手册

Power Transistors

2SB931

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

For power switching

1.0±0.1

Complementary to 2SD1254

Features

■

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

●

0.8±0.1

●

Large collector current I_C

2.54±0.3

●

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

5.08±0.5

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

1:Base

2:Collector

3:Emitter

N Type Package

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Unit: mm

3.4±0.3

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

8.5±0.2

6.0±0.3

1.0±0.1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–130

–80

–7

–6

I_C

–3

R0.5

0.8±0.1

Collector power T_C=25°C

0 to 0.4

2.54±0.3

1.1 max.

P_C

5.08±0.5

dissipation

Ta=25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

T_stg

–55 to +150

N Type Package (DS)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–10

–50

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= –100V, I_E= 0

I_EBO

V_CEO

h_FE1

V_EB= –5V, I_C= 0

I_C= –10mA, I_B= 0

Collector to emitter voltage

–80

_CE= –2V, I_C= – 0.1A

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= – 0.5A

260

– 0.5

–1.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= –2A, I_B= – 0.1A

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 10MHz

0.3

1.1

0.3

MHz

µs

I_C= – 0.5A,

µs

I_B1= –50mA, I_B2= 50mA

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

90 to 180

130 to 260

12 3

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