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2SB929TX

更新时间: 2024-11-18 21:14:19
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松下 - PANASONIC 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 141K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

2SB929TX 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:1.2 VBase Number Matches:1

2SB929TX 数据手册

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-262VAR