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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB930A
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2SB930A

更新时间： 2024-11-16 22:27:15
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松下 - PANASONIC /
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2页 52K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)

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2SB930A 数据手册

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Power Transistors  
2SB930, 2SB930A  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
3.4±0.3  
8.5±0.2  
6.0±0.5  
1.0±0.1  
For power amplification  
Complementary to 2SD1253 and 2SD1253A  
Features  
■
1.5max.  
1.1max.  
0.5max.  
●
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity  
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
0.8±0.1  
●
N type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
2.54±0.3  
5.08±0.5  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
■
C
1
2
3
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
N Type Package  
Collector to  
2SB930  
2SB930A  
2SB930  
–60  
VCBO  
V
Unit: mm  
3.4±0.3  
base voltage  
Collector to  
–80  
8.5±0.2  
6.0±0.3  
1.0±0.1  
–60  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB930A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–80  
VEBO  
ICP  
–5  
V
A
A
–8  
IC  
–4  
40  
R0.5  
R0.5  
0.8±0.1  
Collector power TC=25°C  
0 to 0.4  
2.54±0.3  
PC  
W
1.1 max.  
5.08±0.5  
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Tstg  
–55 to +150  
N Type Package (DS)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICES  
Conditions  
min  
typ  
max  
–400  
–400  
–700  
–700  
–1  
Unit  
2SB930  
VCE = –60V, VBE = 0  
µA  
current  
2SB930A  
2SB930  
VCE = –80V, VBE = 0  
VCE = –30V, IB = 0  
VCE = –60V, IB = 0  
VEB = –5V, IC = 0  
Collector cutoff  
current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
µA  
mA  
V
2SB930A  
Emitter cutoff current  
Collector to emitter 2SB930  
voltage 2SB930A  
–60  
–80  
70  
IC = –30mA, IB = 0  
*
hFE1  
VCE = –4V, IC = –1A  
250  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
hFE2  
VBE  
VCE = –4V, IC = –3A  
15  
VCE = –4V, IC = –3A  
–2  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –4A, IB = – 0.4A  
–1.5  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = –10V, IC = – 0.1A, f = 1MHz  
20  
0.2  
0.5  
0.2  
MHz  
µs  
IC = –4A, IB1 = – 0.4A, IB2 = 0.4A  
µs  
µs  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
70 to 150  
120 to 250  
1
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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