2SB930

更新时间： 2024-11-19 22:27:15

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器
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2页	52K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)

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2SB930 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SB930 数据手册

Power Transistors

2SB930, 2SB930A

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

1.0±0.1

For power amplification

Complementary to 2SD1253 and 2SD1253A

Features

■

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

0.8±0.1

●

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.54±0.3

5.08±0.5

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

1:Base

2:Collector

3:Emitter

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

N Type Package

Collector to

2SB930

2SB930A

2SB930

–60

V_CBO

Unit: mm

3.4±0.3

base voltage

Collector to

–80

8.5±0.2

6.0±0.3

1.0±0.1

–60

V_CEO

emitter voltage 2SB930A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

V_EBO

I_CP

–5

–8

I_C

–4

R0.5

0.8±0.1

Collector power T_C=25°C

0 to 0.4

2.54±0.3

P_C

1.1 max.

5.08±0.5

dissipation

Ta=25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

T_stg

–55 to +150

N Type Package (DS)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CES

Conditions

min

typ

max

–400

–700

–1

Unit

2SB930

V_CE= –60V, V_BE= 0

µA

current

2SB930A

2SB930

V_CE= –80V, V_BE= 0

V_CE= –30V, I_B= 0

V_CE= –60V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

µA

2SB930A

Emitter cutoff current

Collector to emitter 2SB930

voltage 2SB930A

–60

–80

I_C= –30mA, I_B= 0

h_FE1

V_CE= –4V, I_C= –1A

250

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

V_CE= –4V, I_C= –3A

–2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –4A, I_B= – 0.4A

–1.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= –10V, I_C= – 0.1A, f = 1MHz

0.2

0.5

0.2

MHz

µs

I_C= –4A, I_B1= – 0.4A, I_B2= 0.4A

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

70 to 150

120 to 250

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与2SB930相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB930_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB930A	KEXIN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB930A	TYSEMI	获取价格	High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity.
2SB930A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)
2SB930A_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB930AH	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB930AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-262VAR
2SB930A-P	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB930AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-262VAR
2SB930A-Q	KEXIN	获取价格	PNP Transistors

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