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2SB929Q PDF预览

2SB929Q

更新时间： 2024-01-26 20:09:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 242K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, ROHS COMPLIANT, N-G1, 3 PIN

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2SB929Q 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

2SB929Q 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Power Transistors  
2SB0929 (2SB929), 2SB0929A (2SB929A)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For power amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SD1252, 2SD1252A  
8.5 0.2  
6.0 0.2  
3.4 0.3  
1.0 0.1  
■ Features  
• High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• N type package enabling direct soldering of the radiating fin the  
printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
0 to 0.4  
R = 0.5  
R = 0.5  
1.0 0.1  
1.4 0.1  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
0.4 0.1  
5.08 0.5  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
(8.5)  
(6.0)  
1.3  
2SB0929  
2SB0929A  
2SB0929  
2SB0929A  
VCBO  
−
V
1
2
3
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
VCEO  
−60  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
(6.5)  
−80  
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
Emitter-base voltage (CollectoVEBO  
−5  
A
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
N-G1 Package  
Peak collector current  
Collector power dssipaon  
−5  
A
Note) Self-supported type package is also prepaed.  
35  
W
T= 25°C  
1.3  
Junction tempature  
Storage teeratur
150  
°C  
°C  
−55 to +150  
ElecCharacterisics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
−60  
−80  
Typ  
Max  
Unit  
2S0929  
2SB0929A  
2SB0929  
2SB0929A  
2SB0929  
2SB0929A  
VCEO  
IC = −30 mA, IB = 0  
V
ollector-emitter voltg
(ase op
ICES  
ICEO  
IEBO  
VCE = −60 V, VE = 0  
VCE = −80 V, VBE = 0  
VCE = −30 V, IB = 0  
VCE = −60 V, IB = 0  
VEB = −5 V, IC = 0  
−200  
−200  
−300  
−300  
−1  
µA  
µA  
Coutoff  
curr
Collectorcutoff  
current (Basopen)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
mA  
*
hFE1  
VCE = −4 V, IC = −1 A  
VCE = −4 V, IC = −3 A  
VCE = −4 V, IC = −3 A  
70  
10  
250  
hFE2  
VBE  
Base-emitter voltage  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Turn-on time  
−1.8  
−1.2  
V
V
VCE(sat) IC = −3 A, IB = −0.375 A  
f
ton  
tstg  
tf  
VCE = −10 V, IC = − 0.5 A, f = 10 MHz  
30  
0.5  
1.2  
0.3  
MHz  
µs  
IC = −1 A,  
Strage time  
IB1 = − 0.1 A, IB2 = 0.1 A  
VCC = −50 V  
µs  
Fall time  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
P
hFE1  
70 to 150  
120 to 250  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
SJD00011BED  
Publication date: April 2003  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB929-Q KEXIN

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 		PNP Transistors
2SB929R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SB929TX PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB930 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)
2SB930 TYSEMI

获取价格

 		High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity.
2SB930 KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SB930_15 KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SB930A KEXIN

获取价格

 		Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB930A TYSEMI

获取价格

 		High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity.
2SB930A PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)

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