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2SB928P

更新时间： 2024-11-17 20:14:23
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 241K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, ROHS COMPLIANT, N-G1, 3 PIN

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2SB928P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

2SB928P 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Power Transistors  
2SB0928 (2SB928), 2SB0928A (2SB928A)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For Power amplification  
Unit : mm  
8.5 0.2  
6.0 0.2  
3.4 0.3  
For TV vertical deflection output  
1.0 0.1  
Complementary to 2SD1250 and 2SD1250A  
■ Features  
• High collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
• High collector power dissipation PC  
0 to 0.4  
R = 0.5  
= 0.5  
1.0 0.1  
0.4 0.1  
5.08 0.5  
• N type package enabling direct soldering of the radiatng fin to the  
printed circuit board, etc. of small electronic equiment
(8.5)  
(6.0)  
(6.5)  
1.3  
1
3
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter oVC
Collector-emitter voltage 2SCEO  
(Base open) 2SB08A  
Emitter-base voltage (Collectr open) VEBO  
ymbol  
Rating  
−200  
150  
−180  
6  
Unit  
V
1 : Base  
2 : Collector  
3 : Emitter  
V
N-G1 Package  
V
A
Note) Self-supported type package is also prepaed  
Collector current  
IC  
−2  
Peak collectr currnt  
−3  
A
30  
W
Collecr ower  
disspatio
Ta = 25°C  
1.3  
unctioerature  
Stoge temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 ∼ +150  
■ Electrical Characteristcs TC = 25°C 3°C  
ametr  
Symbol  
VCBO  
Conditions  
Min  
−200  
−150  
−180  
−6  
Typ  
Max  
Unit  
V
Colge (Emitter open)  
IC = −500 µA, IE = 0  
Collectvoltage  
(Base open)  
2SB0928  
VCEO  
IC = −5 mA, IB = 0  
V
2SB0928A  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
VEBO  
ICBO  
IEBO  
IE = −500 µA, IC = 0  
V
VCB = −200 V, IE = 0  
−50  
−50  
240  
µA  
µA  
VEB = −4 V, IC = 0  
*
hFE1  
VCE = −10 V, IC = −150 mA  
VCE = −10 V, IC = −400 mA  
VCE = −10 V, IC = −400 mA  
60  
50  
hFE2  
VBE  
Base-emitter voltage  
−1.0  
−1.0  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = −500 mA, IB = −50 mA  
fT VCE = −10 V, IC = − 0.5 A, f = 10 MHz  
40  
MHz  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
P
hFE1  
60 to 140  
100 to 240  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: February 2003  
SJD00010BED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB928PQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-262VAR
2SB928Q PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB928TX PANASONIC

获取价格

 		暂无描述
2SB929 KEXIN

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 		Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB929 TYSEMI

获取价格

 		High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity.
2SB929 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)
2SB929_15 KEXIN

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 		PNP Transistors
2SB929A TYSEMI

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 		High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity.
2SB929A KEXIN

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 		Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB929A PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)

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