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2SB929AQ

更新时间： 2024-11-20 20:16:35
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 242K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, ROHS COMPLIANT, N-G1, 3 PIN

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2SB929AQ 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

2SB929AQ 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Power Transistors  
2SB0929 (2SB929), 2SB0929A (2SB929A)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For power amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SD1252, 2SD1252A  
8.5 0.2  
6.0 0.2  
3.4 0.3  
1.0 0.1  
■ Features  
• High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• N type package enabling direct soldering of the radiating fin the  
printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
0 to 0.4  
R = 0.5  
R = 0.5  
1.0 0.1  
1.4 0.1  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
0.4 0.1  
5.08 0.5  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
(8.5)  
(6.0)  
1.3  
2SB0929  
2SB0929A  
2SB0929  
2SB0929A  
VCBO  
−
V
1
2
3
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
VCEO  
−60  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
(6.5)  
−80  
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
Emitter-base voltage (CollectoVEBO  
−5  
A
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
N-G1 Package  
Peak collector current  
Collector power dssipaon  
−5  
A
Note) Self-supported type package is also prepaed.  
35  
W
T= 25°C  
1.3  
Junction tempature  
Storage teeratur
150  
°C  
°C  
−55 to +150  
ElecCharacterisics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
−60  
−80  
Typ  
Max  
Unit  
2S0929  
2SB0929A  
2SB0929  
2SB0929A  
2SB0929  
2SB0929A  
VCEO  
IC = −30 mA, IB = 0  
V
ollector-emitter voltg
(ase op
ICES  
ICEO  
IEBO  
VCE = −60 V, VE = 0  
VCE = −80 V, VBE = 0  
VCE = −30 V, IB = 0  
VCE = −60 V, IB = 0  
VEB = −5 V, IC = 0  
−200  
−200  
−300  
−300  
−1  
µA  
µA  
Coutoff  
curr
Collectorcutoff  
current (Basopen)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
mA  
*
hFE1  
VCE = −4 V, IC = −1 A  
VCE = −4 V, IC = −3 A  
VCE = −4 V, IC = −3 A  
70  
10  
250  
hFE2  
VBE  
Base-emitter voltage  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Turn-on time  
−1.8  
−1.2  
V
V
VCE(sat) IC = −3 A, IB = −0.375 A  
f
ton  
tstg  
tf  
VCE = −10 V, IC = − 0.5 A, f = 10 MHz  
30  
0.5  
1.2  
0.3  
MHz  
µs  
IC = −1 A,  
Strage time  
IB1 = − 0.1 A, IB2 = 0.1 A  
VCC = −50 V  
µs  
Fall time  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
P
hFE1  
70 to 150  
120 to 250  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
SJD00011BED  
Publication date: April 2003  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB929A-Q KEXIN

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 		PNP Transistors
2SB929AR ETC

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