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2SB922R

更新时间： 2024-11-22 14:46:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 30K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,12A I(C),TO-218VAR

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2SB922R 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：12 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：100
最高工作温度：140 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：80 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SB922R 数据手册

 浏览型号2SB922R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB922R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB922R的Datasheet PDF文件第4页 
Ordering number : ENN1429A  
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
2SB922 / 2SD1238  
Large Current Switching Applications  
Package Dimensions  
Applications  
•
Large current switching of relay drivers, high-speed  
unit : mm  
inverters, converters.  
2022A  
[2SB922 / 2SD1238]  
Features  
15.6  
14.0  
3.2  
4.8  
2.0  
•
Low collector-to-emitter saturation voltage :  
(sat)=--0.5V (PNP), 0.4V (NPN) max.  
V
CE  
Wide ASO and highly resistant to breakdown.  
•
1.6  
2.0  
3
0.6  
1.0  
2
1
1 : Base  
2 : Collector  
3 : Emitter  
0.6  
5.45  
5.45  
SANYO : TO-3PB  
Specifications  
( ) : 2SB922  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
(--)120  
(--)80  
(--)6  
V
V
I
(--)12  
(--)20  
80  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
I
A
CP  
P
Tc=25°C  
W
°C  
°C  
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
=(--)80V, I =0  
Unit  
min  
max  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
I
V
V
(--)0.1  
(--)0.1  
mA  
mA  
CBO  
CB  
E
I
=(--)4V, I =0  
C
EBO  
EB  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
92502 TS IM 8-4747 No.1429-1/4  
1234

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与2SB922R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB922S ONSEMI

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 		TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,12A I(C),TO-218VAR
2SB925 SAVANTIC

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2SB925 ISC

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2SB925A SAVANTIC

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 		Silicon PNP Power Transistors
2SB926 SANYO

获取价格

 		Large-Current Driving Applications
2SB926 ONSEMI

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 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
2SB926 FOSHAN

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 		TO-92
2SB926R ONSEMI

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 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
2SB926S ONSEMI

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 		TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,6A I(C),TO-92

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