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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.43 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 1 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 9 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB906-O(2-7B1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP |
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| 2SB906O(2-7B1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP |
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| 2SB906-O(2-7B2A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B2A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SB906O(2-7J1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP |
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| 2SB906O(SM) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SB906Y | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-251 |
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| 2SB906-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal |
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| 2SB906Y(2-7B1A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP |
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| 2SB906-Y(2-7B2A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B2A, 3 PIN, BIP General Pur |
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| 2SB906-Y(2-7J1A) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP |
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