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2SB907(2-7B1A)

更新时间： 2024-11-22 14:50:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 194K
描述
TRANSISTOR 3000 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-7B1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SB907(2-7B1A) 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.91
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：1000
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SB907(2-7B1A) 数据手册

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2SB907  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SB907  
Switching Applications  
Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications  
Power Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
•
High DC current gain: h  
CE (sat)  
Complementary to 2SD1222.  
= 2000 (min) (V  
= −2 V, I = −1 A)  
C
C
FE (1)  
Low saturation voltage: V  
CE  
= −1.5 V (max) (I = −2 A)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
−60  
−40  
V
V
V
A
A
CBO  
CEO  
EBO  
−5  
I
−3  
C
Base current  
I
−0.3  
1.0  
B
Ta = 25°C  
Collector power  
P
W
JEDEC  
JEITA  
―
C
dissipation  
Tc = 25°C  
15  
―
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
TOSHIBA  
2-7B1A  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
Weight: 0.36 g (typ.)  
Equivalent Circuit  
COLLECTOR  
BASE  
≈ 300 Ω  
EMITTER  
≈ 4.8 kΩ  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-7J1A  
Weight: 0.36 g (typ.)  
1
2002-07-23  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB907(SM) TOSHIBA

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