5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SB908(SM)
2SB908(SM) PDF预览

2SB908(SM)

更新时间： 2024-11-06 21:20:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
5页 206K
描述
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,80V V(BR)CEO,4A I(C),TO-252VAR

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SB908(SM) 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最大集电极电流 (IC)：4 A
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：1000
JESD-609代码：e0最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：15 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

2SB908(SM) 数据手册

 浏览型号2SB908(SM)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB908(SM)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB908(SM)的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SB908(SM)的Datasheet PDF文件第5页 
2SB908  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)  
2SB908  
Switching Applications  
Unit: mm  
Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications  
Power Amplifier Applications  
•
•
•
High DC current gain: h  
= 2000 (min) (V  
= −2 V, I = −1 A)  
C
FE (1)  
CE  
Low saturation voltage: V  
CE (sat)  
Complementary to 2SD1223  
= −1.5 V (max) (I = −3 A)  
C
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−100  
−80  
V
V
V
A
A
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
−5  
I
−4  
C
Base current  
I
B
−0.4  
1.0  
Ta = 25°C  
Tc = 25°C  
Collector power  
dissipation  
P
W
C
JEDEC  
JEITA  
―
15  
―
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
TOSHIBA  
2-7B1A  
Weight: 0.36 g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,  
etc).  
Equivalent Circuit  
COLLECTOR  
BASE  
≈ 300 Ω  
≈ 4.5 kΩ  
JEDEC  
JEITA  
―
―
EMITTER  
TOSHIBA  
2-7J1A  
Weight: 0.36 g (typ.)  
1
2006-11-21  
12345

中文翻译

下载PDF

与2SB908(SM)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB908_07 TOSHIBA

获取价格

 		Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applic
2SB908_10 TOSHIBA

获取价格

 		Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applic
2SB909M ROHM

获取价格

 		Epitaxial Planar PNP Silicon Translstors
2SB909M/P ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB909M/PQ ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB909M/PR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB909M/QR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB909M/R ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB909MC2 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB909MC2/PQ ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

与2SB908(SM)相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证