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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 140 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB908(2-7B1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN, BIP |
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| 2SB908(2-7B2A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| 2SB908(2-7J1A) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 4000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP |
|
| 2SB908(SM) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,80V V(BR)CEO,4A I(C),TO-252VAR |
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| 2SB908_07 | TOSHIBA |
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Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applic |
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| 2SB908_10 | TOSHIBA |
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Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications Power Amplifier Applic |
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| 2SB909M | ROHM |
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Epitaxial Planar PNP Silicon Translstors |
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| 2SB909M/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB909M/PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SB909M/PR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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