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2SB906-Y(2-7J1A)

更新时间： 2024-11-22 15:25:07

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	151K
描述
TRANSISTOR 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SB906-Y(2-7J1A) 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	NOT SPECIFIED
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	9 MHz
Base Number Matches：	1

2SB906-Y(2-7J1A) 数据手册

2SB906

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Diffused Type (PCT process)

2SB906

Audio Frequency Power Amplifier Application

Unit: mm

•

Low collector saturation voltage

: V = −1.0 V (typ.) (I = −3 A, I = −0.3 A)

CE (sat)

•

High power dissipation: P = 20 W (Tc = 25°C)

Complementary to 2SD1221

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−60

CBO

CEO

EBO

−7

−3

Base current

−0.5

1.0

Ta = 25°C

Tc = 25°C

Collector power

dissipation

JEDEC

JEITA

―

Junction temperature

150

°C

―

Storage temperature range

stg

−55 to 150

TOSHIBA

2-7B1A

Weight: 0.36 g (typ.)

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-7J1A

Weight: 0.36 g (typ.)

2004-07-07

12 3 4

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