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2SB907

更新时间: 2024-11-21 22:22:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体驱动器开关晶体管脉冲功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 176K
描述
TRANSISTOR (SWITCHING, HANNER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SB907 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.86外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):1000
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:15 W最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

2SB907 数据手册

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