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2SB778

更新时间： 2024-01-21 23:18:32

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	86K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB778 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	10 A	基于收集器的最大容量：	280 pF
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
VCEsat-Max：	2.5 V

2SB778 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB778

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·Complement to type 2SD998

APPLICATIONS

·High power amplifier applications

·Recommended for 45~50W audio

frequency amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

MAX

-120

-5

UNIT

Open base

Open collector

-10

I_B

Base current

-1.0

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3 4

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2SB779TMG	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格