2SB633

更新时间： 2024-11-25 06:19:07

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB633 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB633

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SD613

·High breakdown voltage :V_CEO=-85V

·High current :I_C=-6A

APPLICATIONS

·Recommend for 25-35W high fidelity

audio frequency amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-100

-85

UNIT

Open base

Open collector

-6

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-10

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-65~150

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