2SB1417

更新时间： 2024-11-21 22:52:39

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
3页	57K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1417 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1417 数据手册

Power Transistors

2SB1417, 2SB1417A

Silicon PNP epitaxial planar type

For power amplification

Complementary to 2SD2137 and 2SD2137A

Unit: mm

Features

■

●

High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity

5.0±0.1

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

10.0±0.2

1.0

●

Allowing automatic insertion with radial taping

90°

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1.2±0.1

C1.0

Collector to

2SB1417

2SB1417A

2SB1417

–60

2.25±0.2

V_CBO

0.65±0.1

1.05±0.1

base voltage

Collector to

–80

0.35±0.1

–60

0.55±0.1

V_CEO

0.55±0.1

emitter voltage 2SB1417A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

V_EBO

I_CP

–6

C1.0

2 3

–5

I_C

–3

2.5±0.2

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

2.0

MT4 Type Package

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CES

Conditions

min

typ

max

–100

Unit

2SB1417

2SB1417A

2SB1417

2SB1417A

V_CE= –60V, V_BE= 0

µA

current

V_CE= –80V, V_BE= 0

V_CE= –30V, I_B= 0

V_CE= –60V, I_B= 0

V_EB= –6V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

µA

Emitter cutoff current

Collector to emitter 2SB1417

voltage 2SB1417A

–60

–80

I_C= –30mA, I_B= 0

h_FE1

V_CE= –4V, I_C= –1A

250

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

V_CE= –4V, I_C= –3A

–1.8

–1.2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –3A, I_B= – 0.375A

V_CE= –5V, I_C= – 0.2A, f = 10MHz

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

0.3

1.0

0.2

MHz

µs

I_C= –1A, I_B1= – 0.1A, I_B2= 0.1A,

V_CC= –50V

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

70 to 150

120 to 250

Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank h_FE1= 70 to 250) in the rank classification.

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SB1417相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1417/2SB1417A	ETC	获取价格	2SB1417. 2SB1417A - PNP Transistor
2SB1417A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)
2SB1417AP	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SB1417AQ	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1417P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-221VAR
2SB1417Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-221VAR
2SB1418	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
2SB1418/2SB1418A	ETC	获取价格	2SB1418. 2SB1418A - PNP Transistor Darlington
2SB1418A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
2SB1418AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-221VAR

与2SB1417相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

34
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

26
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1417

2SB1417 技术参数

2SB1417 数据手册

与2SB1417相关器件

与2SB1417相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1417

2SB1417 技术参数

2SB1417 数据手册

与2SB1417相关器件

与2SB1417相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？