2SB1418

更新时间： 2024-11-21 22:52:39

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描述
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)

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2SB1418 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER BISMUTH COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1418 数据手册

Power Transistors

2SB1418, 2SB1418A

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

Unit: mm

For power amplification

Complementary to 2SD2138 and 2SD2138A

5.0±0.1

10.0±0.2

1.0

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

●

90°

●

High-speed switching

●

Allowing automatic insertion with radial taping

1.2±0.1

C1.0

2.25±0.2

0.65±0.1

1.05±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

0.35±0.1

Parameter

Collector to

Symbol

Ratings

Unit

0.55±0.1

2SB1418

2SB1418A

2SB1418

–60

V_CBO

base voltage

Collector to

–80

C1.0

2 3

–60

V_CEO

emitter voltage 2SB1418A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

1:Base

2:Collector

3:Emitter

2.5±0.2

V_EBO

I_CP

–5

MT4 Type Package

–4

I_C

–2

Internal Connection

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

Unit

Collector cutoff

2SB1418

2SB1418A

2SB1418

2SB1418A

V_CB= –60V, I_B= 0

µA

current

V_CB= –80V, I_B= 0

V_CE= –30V, I_B= 0

V_CE= –40V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

h_FE1

µA

Emitter cutoff current

Collector to emitter 2SB1418

voltage 2SB1418A

–60

–80

I_C= –30mA, I_B= 0

V_CE= –4V, I_C= –1A

1000

2000

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_CE= –4V, I_C= –2A

10000

–2.8

V_BE

V_CE= –4V, I_C= –2A

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –2A, I_B= –8mA

–2.5

Transition frequency

Turn-on time

f_T

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 1MHz

I_C= –2A, I_B1= –8mA, I_B2= 8mA,

V_CC= –50V

0.2

MHz

µs

t_on

t_off

Turn-off time

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

2000 to 5000 4000 to 10000

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2SB1418AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-221VAR
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