2SB1419P

更新时间： 2024-11-22 13:04:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	222K
描述
Transistor

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2SB1419P 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SB1419P 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB1419

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -160V(Min)

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-160

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-12

I_CM

-20

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

120

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

3.5

T_J

Junction Temperature

150

℃

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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