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2SB1420

更新时间： 2024-11-21 22:52:39
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体驱动器稳压器晶体管电机
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Chopper Regulator, DC Motor Driver and General Purpose)

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2SB1420 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：MT-100, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.54其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.04
最大集电极电流 (IC)：16 A集电极-发射极最大电压：120 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：2000
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：80 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHz

2SB1420 数据手册

  
E
C
(2kΩ) (80Ω)  
B
Darlington 2 S B1 4 2 0  
Equivalent circuit  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor  
Application : Chopper Regulator, DC Motor Driver and General Purpose  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
(Ta=25°C)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
2SB1420  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB=–120V  
2SB1420  
Unit  
Symbol  
Unit  
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
–10max  
–10max  
–120min  
2000min  
–1.5max  
–2.5max  
50typ  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
–120  
µA  
mA  
V
±0.1  
V
2.0  
9.6  
–120  
IEBO  
VEB=–6V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–10mA  
–6  
V
a
b
±0.1  
ø3.2  
VCE=–4V, IC=–8A  
IC=–8A, IB=–16mA  
IC=–8A, IB=–16mA  
VCE=–12V, IE=1A  
VCB=–10V, f=1MHz  
–16(Pulse–26)  
–1  
A
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
80(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
2
Tj  
MHz  
pF  
3
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
350typ  
Tstg  
COB  
–55 to +150  
1.05  
0.65  
1.4  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
Weight : Approx 6.0g  
a. Type No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
–24  
–10  
24  
3.0typ  
2
–12  
5
–24  
1.0typ  
1.0typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–26  
–20  
–3  
–16  
–12  
–8  
–4  
0
–2  
IC=–16A  
–8A  
–10  
–4A  
–1  
0
–0.5  
0
0
–1  
–2  
–3  
–4  
–5  
–6  
–1  
–10  
–100  
0
–1  
–2  
–2.4  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
3
20000  
20000  
10000  
5000  
10000  
5000  
Typ  
1
0.5  
1000  
500  
1000  
500  
0.2  
1
10  
100  
1000  
–0.3  
–1  
–5  
–10  
–16  
–0.3 –0.5  
–1  
–5  
–10  
–16  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
80  
100  
50  
0
–50  
Typ  
–10  
–5  
60  
40  
–1  
–0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
–0.1  
Without Heatsink  
–0.05  
–0.03  
3.5  
0
–3  
–5  
–10  
–50  
–100 –200  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10 16  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
45  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1420_07 SANKEN

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 		Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
2SB1421 ETC

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