是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.57 | 外壳连接: | COLLECTOR |
配置: | SINGLE | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SB1409LB | HITACHI |
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Si, POWER TRANSISTOR | |
2SB1409LC | HITACHI |
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Si, POWER TRANSISTOR | |
2SB1409S | RENESAS |
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Silicon PNP Epitaxial | |
2SB1409S | HITACHI |
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Silicon PNP Epitaxial | |
2SB1409S | TYSEMI |
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Collector to base voltage VCBO -180 V Collector to emitter voltage VCEO -160 V | |
2SB1409S | KEXIN |
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Silicon NPN Triple Diffused Type Transistor | |
2SB1409SB | HITACHI |
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暂无描述 | |
2SB1409SC | HITACHI |
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Si, POWER TRANSISTOR | |
2SB1409SC | RENESAS |
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Si, POWER TRANSISTOR | |
2SB1411 | ISC |
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isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |