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2SB1412_09

更新时间： 2022-12-26 14:36:21

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	187K
描述
Low frequency transistor (−20V,−5A)

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2SB1412_09 数据手册

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Low frequency transistor (−20V,−5A)

2SB1412

zFeatures

zDimensions (Unit : mm)

1) Low V^CE(sat).

2SB1412

V^CE(sat)= −0.35V (Typ.)

(I^C/IB = −4A / −0.1A)

2) Excellent DC current gain characteristics.

3) Complements the 2SD2118.

zStructure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

Denotes hFE

∗

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

−30

−20

−6

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

V

V

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

V

−5

A(DC)

A(Pulse)

I

C

Collector current

Collector power

−10

1

∗

1

W

2SB1412

P

C

dissipation

10

W(Tc=25°C

)

Junction temperature

Storage temperature

1 Single pulse, Pw=10ms

Tj

150

°C

°C

Tstg

−55 to 150

∗

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol Min.

Typ.

Max.

−

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

BV^CBO

−30

−20

−6

−

−

−

V

V

V

I

I

I

C

= −50

= −1mA

= −50

µ

A

Collector-emitter breakdown voltage BVCEO

−

C

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

BVEBO

−

−

E

µ

A

I

CBO

EBO

CE(sat)

FE

−

−0.5

−0.5

−1.0

390

−

µ

A

A

V

CB= −20V

EB= −5V

Emitter cutoff current

I

−

−

µ

V

Collector-emitter saturation voltage

V

−

0.35

−

V

I

C

/I = −4A/ −0.1A

B

∗

∗

h

82

−

−

V

V

V

CE= −2V, I

C

= −0.5A

=50mA, f=100MHz

=0A, f=1MHz

DC current transfer ratio

Transition frequency

f

T

120

60

MHz

pF

CE= −6V, I

E

Output capacitance

Cob

−

−

CB= −20V, I

E

Measured using pulse current.

∗

www.rohm.com

2009.12 - Rev.C

1/3

c

○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

12 3 4

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