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2SB1412

更新时间： 2024-11-22 06:19:59
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 209K
描述
PNP Silicon Low Frequency Transistor

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2SB1412 数据手册

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2SB1412  
PNP Silicon  
Elektronische Bauelemente  
Low Frequency Transistor  
RoHS Compliant Product  
Features  
1)Low VCE(sat).  
D-Pack  
2)Excellent DC current gain characteristics  
3)Complements the 2SD2118  
0.2  
6.6  
0.1  
2.3  
0.2  
0.1  
5.3  
0.1  
0.5  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
−30  
−20  
−6  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
V
−5  
A(DC)  
Collector current  
IC  
0.1  
0.8  
∗
∗
1
2
−10  
A(Pulse)  
0.3  
1.2  
0.5  
2
W
W
W
0.1  
0.6  
2SB1386  
0.3  
0.1  
1.5Max  
0.7  
2.3  
Collector power  
dissipation  
1
P
C
2SB1412  
2SB1326  
10  
1
W(TC=25°C)  
∗
3
W
°C  
°C  
Junction temperature  
Tj  
150  
Storage temperature  
1 Single pulse, Pw=10ms  
Tstg  
−55~+150  
∗
∗
∗
2 When mounted on a 40  
×
40×  
0.7 mm ceramic board.  
3 Printed circuit board glass epoxy board 1.6 mm thick with copper plating 100mm2 or larger.  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
−30  
−20  
−6  
−
V
V
I
I
I
C
=−50µA  
=−1mA  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
−
−
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVEBO  
−
−
V
E
=−50µA  
CB=−20V  
EB=−5V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
−
−0.5  
−0.5  
−1.0  
390  
390  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
−
Collector-emitter saturation voltage  
V
−
−
I
C
/I  
B
=−4A/−0.1A  
∗
∗
∗
2SB1386,2SB1412  
DC current  
82  
120  
−
−
−
h
FE  
V
CE=−2V, I  
C=−0.5A  
transfer ratio  
2SB1326  
−
−
Transition frequency  
f
T
120  
60  
MHz  
pF  
V
V
CE=−6V, I  
E
=50mA, f=30MHz  
=0A, f=1MHz  
Output capacitance  
Cob  
−
−
CB=−20V, I  
E
∗Measured using pulse current.  
!Packaging specifications and hFE  
Package  
Code  
Taping  
T100  
TL  
2500  
−
TV2  
Basic ordering  
unit (pieces)  
1000  
2500  
Type  
h
FE  
2SB1386  
2SB1412  
2SB1326  
PQR  
PQR  
QR  
−
−
−
−
−
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
Page 1 of 3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1412(TO-251) BL Galaxy Electrical

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 		20V,5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
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 		20V,5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
2SB1412/P ROHM

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2SB1412/PQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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 		HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2SB1412_15 UTC

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 		HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2SB1412F5 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252

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