5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.35 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-609代码： | e2 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1412(TO-251) | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
20V,5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
|
| 2SB1412(TO-252) | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
20V,5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
|
| 2SB1412/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SB1412/PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1412/PR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1412/QR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1412_09 | ROHM |
获取价格 |
Low frequency transistor (−20V,−5A) |
|
| 2SB1412_10 | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 2SB1412_15 | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 2SB1412F5 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-252 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
